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    揭示的是具有多樣寬度之指的指叉式電容器。電容器的一具體態樣(100)包括第一複數個導電指(110)和以連鎖方式與第一複數個導電指(110)而定位的第二複數個導電指(110)，以致形成指叉式結構。第一複數個導電指(110)和第二複數個導電指(110)合起來形成一指組，其中該指組(110)之第一指的寬度相對於該指組之第二指是非均勻的。
    公开号:TW201312613A
    申请号:TW101123671
    申请日:2012-07-02
    公开日:2013-03-16
    发明作者:Zhaoyin D Wu；Parag Upadhyaya；Xuewen Jiang
    申请人:Xilinx Inc；
    IPC主号:H01L28-00
    专利说明:
    具有多樣寬度之指的指叉式電容器
    本發明的具體態樣一般關於積體電路，尤其關於用於積體電路科技的指叉式電容器。
    例如電容器的被動電子構件常常用於積體電路(integrated circuit，IC)用途。一種特殊類型的電容器是指叉式電容器。傳統的指叉式電容器包括複數個指叉層，其中每對指叉層是由氧化層(或氧化區域)所分開。每個指叉層包括二根桿條(bar)或交互連接(interconnect)，其定位成彼此實質平行。從每根桿條延伸的是複數個「指」(digit，亦即長的導體)。指沿著桿條而隔開，致使指合起來形成連鎖式或指叉式結構。
    傳統的指叉式電容器有一些缺點。舉例來說，指的長度愈長，則指傾向於導致愈多電流漏失。如此，則指的長度典型乃加以選擇以使此種漏失減到最少。舉例來說，具有較短長度之指的多重指叉層典型乃跨越電容器的區域。雖然這有效的使漏失減到最少，但是電容器的電容密度也因而降低。因此，每個指叉層將需要二個電極以便提供必要的電容密度。這些電極位在指叉式結構外面，並且耗去桿條和氧化層區域的空間。因此，電容器面積並不是以效能最大化的方式來利用。
    揭示的是具有多樣寬度之指的指叉式電容器。電容器的一具體態樣可以包括第一複數個導電指和與第一複數個導電指以連鎖方式而定位的第二複數個導電指，以致形成指叉式結構。第一複數個導電指和第二複數個導電指合起來形成一指組，其中該指組之第一指的寬度相對於該指組之第二指是非均勻的。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近指叉式結構末端的第一次組可以具有寬於該指組中定位最接近指叉式結構中央的第二次組的寬度。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近指叉式結構末端的第一次組的寬度可以比該指組中定位最接近指叉式結構中央的第二次組寬三到五倍。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近指叉式結構末端之限定數目的第一次組可以具有第一寬度，並且該指組中的剩餘指可以具有窄於第一寬度的第二寬度。
    於某些具體態樣，該指組中之每一指的寬度可以從定位在指叉式結構末端之指的最寬寬度逐漸變細到定位在指叉式結構中央之指的最窄寬度。
    於某些具體態樣，該指組中之指的相對寬度可以依據指叉式結構的磁場H分布所決定。
    於某些具體態樣，該指組之特定者的寬度可以正比於該指組之特定者所承載的電流量。
    於某些具體態樣，該指組中的指之間的間隙可以是實質均勻的尺寸。
    於某些具體態樣，第一複數個導電指和第二複數個導電指可以由以下至少一者所形成：銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。
    於某些具體態樣，第一複數個導電指可以由第一材料所形成，並且第二複數個導電指可以由不同於第一材料的第二材料所形成。
    於某些具體態樣，電容器可以進一步包括至少一桿條，其耦合於指叉式結構，其中至少一桿條可以具有至少一饋入點。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近饋入點的第一次組可以具有寬於該指組之其餘者的寬度。
    形成電容器之方法的具體態樣可以包括：形成第一複數個導電指，以及形成第二複數個導電指，其與第一複數個導電指以連鎖方式而定位，以致形成指叉式結構。第一複數個導電指和第二複數個導電指可以合起來形成一指組，其中該指組之第一指的寬度可以相對於該指組之第二指是非均勻的。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近桿條之饋入點(其耦合於指叉式結構)的第一次組可以具有寬於該指組中定位最遠離桿條之饋入點的第二次組的寬度。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近桿條之饋入點(其耦合於指叉式結構)的第一次組的寬度可以比該指組中定位最遠離桿條之饋入點的第二次組寬三到五倍。
    於某些具體態樣，該指組中定位最接近桿條之饋入點(其耦合於指叉式結構)之限定數目的第一次組可以具有第一寬度，並且該指組中的剩餘指可以具有窄於第一寬度的第二寬度。
    於某些具體態樣，該指組中之每一指的寬度可以從定位靠近桿條饋入點(其耦合於指叉式結構)之指的最寬寬度逐漸變細到定位最遠離桿條饋入點之指的最窄寬度。
    於某些具體態樣，該指組中之指的相對寬度可以依據指叉式結構的磁場H分布所決定，並且其中該指組之特定者的寬度可以正比於該指組之特定者所承載的電流量。
    於某些具體態樣，具有饋入點的至少一桿條可以耦合於指叉式結構，並且其中該指組中定位最接近饋入點的第一次組可以具有寬於該指組之其餘者的寬度。
    電容器的另一具體態樣可以包括單一指叉層，其中單一指叉層可以包括第一複數個導電指和第二複數個導電指，其以連鎖方式而定位。可以定位第一複數個導電指和第二複數個導電指，以致形成指叉式結構。
    揭示的是具有多樣寬度之指的指叉式電容器。如上面討論的，指叉式電容器是一種特別的電容器，其使用長的導體或「指」來產生像是電容器的高通特徵。指叉式電容器的一具體態樣包括複數個指，其中位置比較靠近指叉式結構末端的指乃寬於位置比較靠近指叉式結構中央的指。於進一步具體態樣，指的寬度從在指叉式結構末端的最寬點逐漸變細到在指叉式結構中央的最窄點。如下面更詳細的討論，此安排允許指被加長，如此則指叉式電容器結構可以應用於桿條和氧化層，同時增加指叉式電容器的電容密度。
    圖1是示範指叉式電容器之第一具體態樣100的平面圖。特定而言，圖1示範指叉式電容器100於x和z維度。注意圖1未必按照比例繪製，並且指叉式電容器100未必受限於所示範的尺寸或數量(其主要是為了便於讀者理解)。
    如所示範，電容器100包括第一桿條106和第二桿條108，其定位成彼此實質平行。從第一桿條106和第二桿條108各者延伸的是複數個指1101~110n(下文合起來稱為「指110」)。合起來看，指110形成連鎖式或指叉式結構104。電流經由位在第一桿條106和第二桿條108上的至少一「饋入點」(feed point)或電極1121~1122(下文合起來稱為「電極112」)而提供至指叉式結構104。於一具體態樣，第一桿條106和第二桿條108都包括電極(廣泛而言即饋入點)112以提供電流。應該注意位在桿條106和108上的饋入點可以配置在桿條上的任何位置，譬如在桿條的最末端、桿條的中央、桿條的最末端和中央之間的任何其他位置。
    於一具體態樣，指110是由導電材料所形成，在可能的材料當中尤其例如銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。延伸自第一桿條106之指110的組成可以異於延伸自第二桿條108之指的組成。指110和桿條106、108之間的間隙一般包括介電材料，例如二氧化矽。
    如所示範，指110的寬度於各指之間是非均勻的(譬如至少二或更多根指具有不同的寬度)。舉例而言，於一具體態樣，位置比較靠近指叉式結構104末端的指110(譬如指1101、1102、110n-1、110n)乃寬於位置比較靠近指叉式結構104中央的指110(譬如指110n-m-1和110n-m)。尤其於一具體態樣，位置比較靠近指叉式結構104末端的指110比位置比較靠近指叉式結構104中央的指110寬三到五倍。
    於另一具體態樣，位置比較靠近指叉式結構104末端之特定數目的指110乃寬於指叉式結構104中的剩餘指110。舉例而言，從指叉式結構104的末端移動到指叉式結構104的中央，第一指110具有第一寬度，而其餘指110具有窄於第一寬度的第二寬度。
    於又一具體態樣，指110的寬度從在指叉式結構末端104的最寬寬度W1逐漸變細到在指叉式結構中央104的最窄寬度W2，致使位在指叉式結構104的中間點(亦即在末端和中央之間)之指110的寬度為在W1和W2之間某處的寬度。
    於又一具體態樣，指110的相對寬度是依據指叉式結構104的磁場H分布所決定。舉例而言，圖2是示範傳統指叉式電容器之磁場H分布的圖形。特定而言，圖2是以電流密度(每公尺的千安培)大小與離指叉式結構的饋入位置(亦即注入電流的點)的距離(微米)來作圖。如所示範，電流密度隨著從指叉式結構的末端移動到指叉式結構的中央而減少。相對而言，跨越指叉式結構的電場分布則比較均勻。
    因此，於一具體態樣，比較靠近指叉式結構104中央的指110(亦即承載最少電流的指110)做得最窄(譬如窄到指叉式電容器100將允許的機械公差)。當從指叉式結構104的中央往外移動，指110隨著承載較多的電流而做得比較寬，其中最寬的指110是位置最接近指叉式結構104末端的指110。此安排將增加指叉式電容器100的電容密度。
    於另一具體態樣，最寬的指110之位置最接近電極112。舉例而言，於圖1所示範的範例性具體態樣，最寬的指1101和110n也是最接近電極112的指，其分別定位在第一桿條106和第二桿條108的相對末端；最窄的指是最遠離電極112的指(譬如指110n-m-1和110n-m)。因此，最寬的指1101和110n也分別定位在第一桿條106和第二桿條108的相對末端。
    以進一步的範例來看，圖5是示範指叉式電容器之第二具體態樣500的平面圖；圖6是示範指叉式電容器之第三具體態樣600的平面圖。於圖5，電極5121~5122(下文合起來稱為「電極512」)分別位在第一桿條506和第二桿條508的同一末端上(亦即於圖的左手側)。再次的，最寬的指5101和5102也是最接近電極512的指；最窄的指是最遠離電極512的指(譬如指510n)。因此，最寬的指5101和5102也分別定位在第一桿條506和第二桿條508的同一末端上(亦即致使指5101和5102彼此相鄰)。
    於圖6，電極6121~6122(下文合起來稱為「電極612」)差不多分別位在第一桿條606和第二桿條608的中央。再次的，最寬的指610i也是最接近電極612的指(於此情形為延伸於電極612之間的單一指610i)；最窄的指是最遠離電極612的指(譬如指6101和610n)。
    於上述任一情形，指110之間的間隙G保持實質均勻的。也就是說，雖然指110的寬度將有所變化，但是指之間的間隙G之尺寸將無實質變化。
    如圖1所示範，指叉式電容器100可以是由多層所形成。指叉式電容器100包括多樣寬度之指110的組態則允許指110加長，以使電容器100中之電極所耗去的空間(譬如於第一桿條106和第二桿條108的區域)減到最少，同時增加指叉式電容器的電容密度。由於承載最多電流之指110(亦即比較靠近指叉式結構104末端的指)的寬度增加了，故這些較寬的指110將不會見到漏失增加。再者，由於比較靠近指叉式結構104中央的指110不承載或承載極少的電流，故指110的長度增加將不會造成漏失有顯著的增加。因此，可以維持電容器100的品質因素或「Q因素」(Q factor，亦即電容器的電容電抗除以電容器的等效串聯電阻)。
    圖3是示範指叉式電容器之第四具體態樣300的平面圖。特定而言，圖3示範指叉式電容器300於x和z維度。注意圖3未必按照比例繪製，並且指叉式電容器300未必受限於所示範的尺寸或數量(其主要是為了便於讀者理解)。
    如所示範，電容器300包括第一桿條306和第二桿條308，其定位成彼此實質平行。從第一桿條306和第二桿條308各者延伸的是複數個指3101~310n(下文合起來稱為「指310」)。合起來看，指310形成連鎖式或指叉式結構304。
    於一具體態樣，指310是由導電材料所形成，在可能的材料當中尤其例如銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。延伸自第一桿條306之指310的組成可以異於延伸自第二桿條308之指310的組成。指310和桿條306、308之間的間隙一般包括介電材料，例如二氧化矽。
    如所示範，指310的寬度於各指之間是非均勻的(譬如至少二或更多根指具有不同的寬度)。於一具體態樣，指310的寬度可以採上面討論的任何方式來變化。此外，指310的長度於各指之間也是非均勻的(譬如至少二或更多根指具有不同的長度)。舉例來說，指310的長度可以從最長長度L1變化到最短長度L2。於一具體態樣，指310的長度乃基於上面討論之變化指310寬度的任何準則而變化。
    圖4是示範形成電容器的方法400之一具體態樣的流程圖。舉例而言，可以實施方法400以便形成電容器，例如圖1和3所示範的電容器。
    方法400開始於步驟402。於步驟404，形成第一複數個導電指，其中指的寬度於各指之間變化。可選用而言，指的長度也可以於各指之間變化。於一具體態樣，指的寬度(以及可選用的長度)根據上面討論的任何準則來變化。第一複數個導電指是由第一桿條所連接，而第一導電指以隔開方式從此處延伸。於一具體態樣，第一複數個導電指是由導電材料所形成，在可能的材料當中尤其例如銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。第一複數個導電指的指間間隙一般包括介電材料，例如二氧化矽。
    於步驟406，形成第二複數個導電指，其中指的寬度於各指之間變化。可選用而言，指的長度也可以於各指之間變化。於一具體態樣，指的寬度(以及可選用的長度)根據上面討論的任何準則來變化。第二複數個導電指是由第二桿條所連接，而第二導電指以隔開方式從此處延伸。於一具體態樣，第二複數個導電指是由導電材料所形成，在可能的材料當中尤其例如銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。第二複數個導電指不須非要由與第一複數個導電指相同的導電材料而形成。第二複數個導電指的指間間隙一般包括介電材料，例如二氧化矽。
    於步驟408，定位第一複數個導電指和第二複數個導電指以形成指叉式結構。此指叉式結構形成指叉式電容器的主要結構，如上所討論。熟於此技藝者將體會最終的指叉式電容器可以包括額外的構件，例如電極。
    方法400然後結束於步驟410。
    雖然前面描述了依據本揭示一或更多方面的範例性具體態樣，不過可以設計出依據本揭示一或更多方面的其他和進一步具體態樣而不偏離其範圍，該範圍是由以下的申請專利範圍及其等效者所決定。列出步驟的申請專利範圍並不暗示步驟的任何順序。商標是其個別擁有者的財產。
    100‧‧‧指叉式電容器
    104‧‧‧連鎖式或指叉式結構
    106‧‧‧第一桿條
    108‧‧‧第二桿條
    110、1101~110n‧‧‧指
    112、1121~1122‧‧‧電極
    200‧‧‧傳統指叉式電容器之磁場分布圖
    300‧‧‧指叉式電容器
    304‧‧‧連鎖式或指叉式結構
    306‧‧‧第一桿條
    308‧‧‧第二桿條
    310、3101~310n‧‧‧指
    400‧‧‧本發明方法
    402~410‧‧‧方法步驟
    500‧‧‧指叉式電容器
    506‧‧‧第一桿條
    508‧‧‧第二桿條
    510、5101~510n‧‧‧指
    512、5121~5122‧‧‧電極
    600‧‧‧指叉式電容器
    606‧‧‧第一桿條
    608‧‧‧第二桿條
    610、6101~610n‧‧‧指
    612、6121~6122‧‧‧電極
    G‧‧‧間隙
    L、L1、L2‧‧‧長度
    W1、W2‧‧‧寬度
    附圖顯示依據本揭示一或更多方面的範例性具體態樣；然而，附圖不應該用來將本揭示限制於所示的具體態樣，而是僅用於解釋和理解。
    圖1是示範指叉式電容器之第一具體態樣的平面圖；圖2是示範傳統指叉式電容器之磁場H分布的圖形；圖3是示範指叉式電容器之第四具體態樣的平面圖；圖4是示範形成電容器的方法之一具體態樣的流程圖；圖5是示範指叉式電容器之第二具體態樣的平面圖；以及圖6是示範指叉式電容器之第三具體態樣的平面圖。
    100‧‧‧指叉式電容器
    104‧‧‧連鎖式或指叉式結構
    106‧‧‧第一桿條
    108‧‧‧第二桿條
    1101~110n‧‧‧指
    1121~1122‧‧‧電極
    G‧‧‧間隙
    L‧‧‧長度
    W1、W2‧‧‧寬度
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種電容器，其包括：第一複數個導電指；以及第二複數個導電指，其與該第一複數個導電指以連鎖方式而定位，以致形成指叉式結構，其中該第一複數個導電指和該第二複數個導電指合起來形成一指組，並且其中該指組之第一指的寬度相對於該指組之第二指是非均勻的。
    [2] 如申請專利範圍第1項的電容器，其中該指組中定位最接近該指叉式結構末端的第一次組具有寬於該指組中定位最接近該指叉式結構中央的第二次組的寬度。
    [3] 如申請專利範圍第1項的電容器，其中該指組中定位最接近該指叉式結構末端的第一次組所具有的寬度比該指組中定位最接近該指叉式結構中央的第二次組寬三到五倍。
    [4] 如申請專利範圍第1項的電容器，其中該指組中定位最接近該指叉式結構末端之限定數目的第一次組具有第一寬度，並且該指組中的剩餘指具有窄於該第一寬度的第二寬度。
    [5] 如申請專利範圍第1項的電容器，其中該指組中之每一指的寬度從定位在該指叉式結構末端之指的最寬寬度逐漸變細到定位在該指叉式結構中央之指的最窄寬度。
    [6] 如申請專利範圍第1項的電容器，其中該指組中之指的相對寬度是依據該指叉式結構的磁場H分布所決定。
    [7] 如申請專利範圍第6項的電容器，其中該指組之特定者的寬度正比於該指組之該特定者所承載的電流量。
    [8] 如申請專利範圍第1至7項中任一項的電容器，其中該第一複數個導電指和該第二複數個導電指是由以下至少一者所形成：銅、摻雜的多晶矽、鋁或氮化鈦。
    [9] 如申請專利範圍第1至7項中任一項的電容器，其中該第一複數個導電指是由第一材料所形成，並且該第二複數個導電指是由不同於該第一材料的第二材料所形成。
    [10] 如申請專利範圍第1至7項中任一項的電容器，其進一步包括：至少一桿條，其耦合於該指叉式結構，其中該至少一桿條具有至少一饋入點。
    [11] 如申請專利範圍第10項的電容器，其中該指組中定位最接近該至少一饋入點的第一次組具有寬於該指組之其餘者的寬度。
    [12] 一種形成電容器的方法，該方法包括：形成第一複數個導電指；以及形成第二複數個導電指，其與該第一複數個導電指以連鎖方式而定位，以致形成指叉式結構，其中該第一複數個導電指和該第二複數個導電指合起來形成一指組，並且其中該指組之第一指的寬度相對於該指組之第二指是非均勻的。
    [13] 如申請專利範圍第12項的方法，其中該指組中定位最接近耦合於該指叉式結構之桿條之饋入點的第一次組具有寬於該指組中定位最遠離該桿條之該饋入點的第二次組的寬度。
    [14] 如申請專利範圍第12項的方法，其中該指組中之每一指的寬度從定位靠近耦合於該指叉式結構之桿條之饋入點之指的最寬寬度逐漸變細到定位最遠離該桿條之該饋入點之指的最窄寬度。
    [15] 如申請專利範圍第12項的方法，其中該指組中之指的相對寬度是依據該指叉式結構的磁場H分布所決定，並且其中該指組之特定者的寬度正比於該指組之該特定者所承載的電流量。
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    JP2014531751A|2014-11-27|
    CN103988328B|2016-12-21|
    EP2754189B1|2020-12-16|
    US20130063861A1|2013-03-14|
    KR20140062493A|2014-05-23|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US1899176A|1929-10-24|1933-02-28|Gen Electric|High frquency condenser|
    GB1149569A|1966-09-01|1969-04-23|Mini Of Technology|Capacitors and methods for their manufacture|
    US3593319A|1968-12-23|1971-07-13|Gen Electric|Card-changeable capacitor read-only memory|
    GB1469944A|1975-04-21|1977-04-06|Decca Ltd|Planar capacitor|
    NL7609587A|1975-09-08|1977-03-10|Ncr Co|Elektrisch afstembare mnos-capaciteit.|
    DE2548563A1|1975-10-30|1977-05-05|Licentia Gmbh|Verfahren zum herstellen eines kondensators|
    US4249196A|1978-08-21|1981-02-03|Burroughs Corporation|Integrated circuit module with integral capacitor|
    JPS5851552Y2|1978-10-18|1983-11-24|||
    JPS57106804A|1980-12-25|1982-07-02|Fuji Electric Co Ltd|Measuring device for thickness of film|
    US4427457A|1981-04-07|1984-01-24|Oregon Graduate Center|Method of making depthwise-oriented integrated circuit capacitors|
    US4409608A|1981-04-28|1983-10-11|The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy|Recessed interdigitated integrated capacitor|
    US4470096A|1982-06-18|1984-09-04|Motorola Inc.|Multilayer, fully-trimmable, film-type capacitor and method of adjustment|
    US4470099A|1982-09-17|1984-09-04|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Laminated capacitor|
    JPH0121546Y2|1982-12-11|1989-06-27|||
    US4571543A|1983-03-28|1986-02-18|Southwest Medical Products, Inc.|Specific material detection and measuring device|
    DE3326957C2|1983-07-27|1986-07-31|Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn|Integrierte Schaltung|
    JPH0682783B2|1985-03-29|1994-10-19|三菱電機株式会社|容量およびその製造方法|
    JPS61259560A|1985-05-14|1986-11-17|Nec Corp|Semiconductor integrated circuit|
    JPS61263251A|1985-05-17|1986-11-21|Nec Corp|Semiconductor device|
    US4827323A|1986-01-07|1989-05-02|Texas Instruments Incorporated|Stacked capacitor|
    US4831431A|1986-03-31|1989-05-16|Honeywell Inc.|Capacitance stabilization|
    JPH0565059B2|1986-09-12|1993-09-16|Nippon Electric Co||
    JPS6370550U|1986-10-27|1988-05-12|||
    US4878151A|1987-04-10|1989-10-31|National Semiconductor Corporation|Anti-parallel capacitor|
    US4731696A|1987-05-26|1988-03-15|National Semiconductor Corporation|Three plate integrated circuit capacitor|
    JPH0196943A|1987-10-09|1989-04-14|Toshiba Corp|Semiconductor integrated circuit device|
    US4994688A|1988-05-25|1991-02-19|Hitachi Ltd.|Semiconductor device having a reference voltage generating circuit|
    JPH01298322A|1988-05-27|1989-12-01|Fuji Photo Film Co Ltd|Interdigital electrode pair|
    JPH01313917A|1988-06-13|1989-12-19|Taiyo Yuden Co Ltd|Laminated electronic part|
    JPH038360Y2|1988-10-26|1991-02-28|||
    US4914546A|1989-02-03|1990-04-03|Micrel Incorporated|Stacked multi-polysilicon layer capacitor|
    JPH02231755A|1989-03-03|1990-09-13|Mitsubishi Electric Corp|Monolithic integrated circuit having mim capacitor|
    JPH02268439A|1989-04-10|1990-11-02|Hitachi Ltd|Semiconductor integrated circuit device|
    JPH02307275A|1989-05-23|1990-12-20|Seiko Epson Corp|Semiconductor device|
    US5089878A|1989-06-09|1992-02-18|Lee Jaesup N|Low impedance packaging|
    JPH0371612B2|1989-06-21|1991-11-13|Mitsubishi Petrochemical Co||
    EP0412514A1|1989-08-08|1991-02-13|Nec Corporation|Capacitance device|
    US5117114A|1989-12-11|1992-05-26|The Regents Of The University Of California|High resolution amorphous silicon radiation detectors|
    JPH03181165A|1989-12-11|1991-08-07|Sharp Corp|Interdigital capacitor|
    US5021920A|1990-03-30|1991-06-04|Texas Instruments Incorporated|Multilevel integrated circuit capacitor and method of fabrication|
    JPH0831392B2|1990-04-26|1996-03-27|株式会社村田製作所|積層コンデンサ|
    JP2504606B2|1990-05-18|1996-06-05|株式会社東芝|半導体記憶装置およびその製造方法|
    JP2590618B2|1990-05-31|1997-03-12|松下電器産業株式会社|画像表示装置|
    US5005103A|1990-06-05|1991-04-02|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of manufacturing folded capacitors in semiconductor and folded capacitors fabricated thereby|
    JP2700959B2|1991-02-25|1998-01-21|三菱電機株式会社|集積回路のキャパシタ|
    US5077225A|1991-04-30|1991-12-31|Micron Technology, Inc.|Process for fabricating a stacked capacitor within a monolithic integrated circuit using oxygen implantation|
    US5189594A|1991-09-20|1993-02-23|Rohm Co., Ltd.|Capacitor in a semiconductor integrated circuit and non-volatile memory using same|
    US5166858A|1991-10-30|1992-11-24|Xilinx, Inc.|Capacitor formed in three conductive layers|
    US5155658A|1992-03-05|1992-10-13|Bell Communications Research, Inc.|Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films|
    US5275974A|1992-07-30|1994-01-04|Northern Telecom Limited|Method of forming electrodes for trench capacitors|
    US5208725A|1992-08-19|1993-05-04|Akcasu Osman E|High capacitance structure in a semiconductor device|
    JPH07283076A|1994-04-15|1995-10-27|Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt>|キャパシタ|
    AUPM596394A0|1994-05-31|1994-06-23|Dyksterhuis, Francis Henry|Games and puzzles|
    US5583359A|1995-03-03|1996-12-10|Northern Telecom Limited|Capacitor structure for an integrated circuit|
    JPH09199973A|1996-01-17|1997-07-31|Kazuhiko Yamanouchi|弾性表面波変換器|
    US5872697A|1996-02-13|1999-02-16|International Business Machines Corporation|Integrated circuit having integral decoupling capacitor|
    US5939766A|1996-07-24|1999-08-17|Advanced Micro Devices, Inc.|High quality capacitor for sub-micrometer integrated circuits|
    US5712813A|1996-10-17|1998-01-27|Zhang; Guobiao|Multi-level storage capacitor structure with improved memory density|
    US6064108A|1997-09-02|2000-05-16|Hughes Electronics Corporation|Integrated interdigitated capacitor|
    US6066537A|1998-02-02|2000-05-23|Tritech Microelectronics, Ltd.|Method for fabricating a shielded multilevel integrated circuit capacitor|
    JPH11274887A|1998-03-26|1999-10-08|Masao Takeuchi|弾性表面波変換器|
    US6037621A|1998-07-29|2000-03-14|Lucent Technologies Inc.|On-chip capacitor structure|
    US6677637B2|1999-06-11|2004-01-13|International Business Machines Corporation|Intralevel decoupling capacitor, method of manufacture and testing circuit of the same|
    JP4446525B2|1999-10-27|2010-04-07|株式会社ルネサステクノロジ|半導体装置|
    US6417556B1|2000-02-02|2002-07-09|Advanced Micro Devices, Inc.|High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect|
    US6383858B1|2000-02-16|2002-05-07|Agere Systems Guardian Corp.|Interdigitated capacitor structure for use in an integrated circuit|
    US6303456B1|2000-02-25|2001-10-16|International Business Machines Corporation|Method for making a finger capacitor with tuneable dielectric constant|
    US6538282B1|2000-03-14|2003-03-25|Oki Electric Industry Co., Ltd.|Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device|
    JP2001267503A|2000-03-16|2001-09-28|Toshiba Corp|キャパシタ及び集積回路|
    US6747307B1|2000-04-04|2004-06-08|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Combined transistor-capacitor structure in deep sub-micron CMOS for power amplifiers|
    US6297524B1|2000-04-04|2001-10-02|Philips Electronics North America Corporation|Multilayer capacitor structure having an array of concentric ring-shaped plates for deep sub-micron CMOS|
    US6822312B2|2000-04-07|2004-11-23|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Interdigitated multilayer capacitor structure for deep sub-micron CMOS|
    US6410954B1|2000-04-10|2002-06-25|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Multilayered capacitor structure with alternately connected concentric lines for deep sub-micron CMOS|
    US6570210B1|2000-06-19|2003-05-27|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Multilayer pillar array capacitor structure for deep sub-micron CMOS|
    US7259945B2|2000-08-09|2007-08-21|Server Technology, Inc.|Active arc-suppression circuit, system, and method of use|
    US6635916B2|2000-08-31|2003-10-21|Texas Instruments Incorporated|On-chip capacitor|
    US6625006B1|2000-09-05|2003-09-23|Marvell International, Ltd.|Fringing capacitor structure|
    US6974744B1|2000-09-05|2005-12-13|Marvell International Ltd.|Fringing capacitor structure|
    US6690570B2|2000-09-14|2004-02-10|California Institute Of Technology|Highly efficient capacitor structures with enhanced matching properties|
    US6385033B1|2000-09-29|2002-05-07|Intel Corporation|Fingered capacitor in an integrated circuit|
    US6653681B2|2000-12-30|2003-11-25|Texas Instruments Incorporated|Additional capacitance for MIM capacitors with no additional processing|
    US6542351B1|2001-06-28|2003-04-01|National Semiconductor Corp.|Capacitor structure|
    US6740922B2|2001-08-14|2004-05-25|Agere Systems Inc.|Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof|
    DE10145462B4|2001-09-14|2006-01-26|Infineon Technologies Ag|Schaltungsanordnung zur Verringerung einer Degradation eines Feldeffekt-Transistors|
    US6661079B1|2002-02-20|2003-12-09|National Semiconductor Corporation|Semiconductor-based spiral capacitor|
    US6737698B1|2002-03-11|2004-05-18|Silicon Laboratories, Inc.|Shielded capacitor structure|
    JP4014432B2|2002-03-28|2007-11-28|ユーディナデバイス株式会社|インタディジタルキャパシタ及びその容量調整方法|
    GB0207857D0|2002-04-05|2002-05-15|Zarlink Semiconductor Ltd|Integrated circuit capacitors|
    DE10217565A1|2002-04-19|2003-11-13|Infineon Technologies Ag|Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger Kapazitätsstruktur|
    DE10217567A1|2002-04-19|2003-11-13|Infineon Technologies Ag|Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung|
    US7271465B2|2002-04-24|2007-09-18|Qualcomm Inc.|Integrated circuit with low-loss primary conductor strapped by lossy secondary conductor|
    TW541646B|2002-07-11|2003-07-11|Acer Labs Inc|Polar integrated capacitor and method of making same|
    DE10249192A1|2002-10-22|2004-05-13|Infineon Technologies Ag|Elektronisches Bauelement mit integriertem passiven elektronischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung|
    DE10303738B4|2003-01-30|2007-12-27|Infineon Technologies Ag|Speicherkondensator und Speicherzellenanordnung|
    GB2398169B|2003-02-06|2006-02-22|Zarlink Semiconductor Ltd|An electrical component structure|
    US6963122B1|2003-02-21|2005-11-08|Barcelona Design, Inc.|Capacitor structure and automated design flow for incorporating same|
    US6819542B2|2003-03-04|2004-11-16|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.|Interdigitated capacitor structure for an integrated circuit|
    US6765778B1|2003-04-04|2004-07-20|Freescale Semiconductor, Inc.|Integrated vertical stack capacitor|
    US6880134B2|2003-04-09|2005-04-12|Freescale Semiconductor, Inc.|Method for improving capacitor noise and mismatch constraints in a semiconductor device|
    US7013436B1|2003-05-25|2006-03-14|Barcelona Design, Inc.|Analog circuit power distribution circuits and design methodologies for producing same|
    US6949781B2|2003-10-10|2005-09-27|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.|Metal-over-metal devices and the method for manufacturing same|
    US6972463B2|2003-10-20|2005-12-06|United Microelectronics Corp.|Multi-finger transistor|
    US7259956B2|2003-12-19|2007-08-21|Broadcom Corporation|Scalable integrated circuit high density capacitors|
    US7205854B2|2003-12-23|2007-04-17|Intel Corporation|On-chip transistor degradation monitoring|
    US7282937B2|2003-12-31|2007-10-16|Intel Corporation|On-chip frequency degradation compensation|
    US7050290B2|2004-01-30|2006-05-23|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Integrated capacitor|
    US6933869B1|2004-03-17|2005-08-23|Altera Corporation|Integrated circuits with temperature-change and threshold-voltage drift compensation|
    US6903918B1|2004-04-20|2005-06-07|Texas Instruments Incorporated|Shielded planar capacitor|
    FR2870042B1|2004-05-07|2006-09-29|St Microelectronics Sa|Structure capacitive de circuit integre|
    US6980414B1|2004-06-16|2005-12-27|Marvell International, Ltd.|Capacitor structure in a semiconductor device|
    US7154734B2|2004-09-20|2006-12-26|Lsi Logic Corporation|Fully shielded capacitor cell structure|
    JP4343085B2|2004-10-26|2009-10-14|Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社|半導体装置|
    US7009832B1|2005-03-14|2006-03-07|Broadcom Corporation|High density metal-to-metal maze capacitor with optimized capacitance matching|
    US7202548B2|2005-09-13|2007-04-10|Via Technologies, Inc.|Embedded capacitor with interdigitated structure|
    US7368902B2|2005-10-28|2008-05-06|International Business Machines Corporation|Impedance calibration for source series terminated serial link transmitter|
    TWI296852B|2005-12-07|2008-05-11|Winbond Electronics Corp|Interdigitized capacitor|
    US7161228B1|2005-12-28|2007-01-09|Analog Devices, Inc.|Three-dimensional integrated capacitance structure|
    US7645675B2|2006-01-13|2010-01-12|International Business Machines Corporation|Integrated parallel plate capacitors|
    US20070181973A1|2006-02-06|2007-08-09|Cheng-Chou Hung|Capacitor structure|
    TWI271754B|2006-02-16|2007-01-21|Jmicron Technology Corp|Three-dimensional capacitor structure|
    KR100876881B1|2006-02-24|2008-12-31|주식회사 하이닉스반도체|반도체 소자의 패드부|
    US7274085B1|2006-03-09|2007-09-25|United Microelectronics Corp.|Capacitor structure|
    JP2009540541A|2006-06-02|2009-11-19|ケネット・インコーポレーテッド|改良された金属‐絶縁体‐金属キャパシタ|
    US8330251B2|2006-06-26|2012-12-11|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Semiconductor device structure for reducing mismatch effects|
    US7838919B2|2007-03-29|2010-11-23|Panasonic Corporation|Capacitor structure|
    JP5274857B2|2007-03-29|2013-08-28|パナソニック株式会社|キャパシタ構造|
    US7564264B1|2007-05-14|2009-07-21|Xilinx, Inc.|Preventing transistor damage|
    US20090057826A1|2007-09-04|2009-03-05|Kim Sun-Oo|Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof|
    US7994609B2|2008-11-21|2011-08-09|Xilinx, Inc.|Shielding for integrated capacitors|
    US8207592B2|2008-11-21|2012-06-26|Xilinx, Inc.|Integrated capacitor with array of crosses|
    US7944732B2|2008-11-21|2011-05-17|Xilinx, Inc.|Integrated capacitor with alternating layered segments|
    US8362589B2|2008-11-21|2013-01-29|Xilinx, Inc.|Integrated capacitor with cabled plates|
    US7956438B2|2008-11-21|2011-06-07|Xilinx, Inc.|Integrated capacitor with interlinked lateral fins|
    US7994610B1|2008-11-21|2011-08-09|Xilinx, Inc.|Integrated capacitor with tartan cross section|
    US8255858B2|2008-11-26|2012-08-28|Broadcom Corporation|Method for adjusting capacitance of capacitors without affecting die area|
    US8653844B2|2011-03-07|2014-02-18|Xilinx, Inc.|Calibrating device performance within an integrated circuit|EP3039416A4|2013-08-29|2017-04-26|Apocell, Inc.|Method and apparatus for isolation, capture and molecular analysis of target particles|
    US9270247B2|2013-11-27|2016-02-23|Xilinx, Inc.|High quality factor inductive and capacitive circuit structure|
    US9524964B2|2014-08-14|2016-12-20|Xilinx, Inc.|Capacitor structure in an integrated circuit|
    CN107112976B|2014-12-26|2020-09-25|京瓷株式会社|弹性波装置|
    US10409426B2|2015-04-14|2019-09-10|Ford Global Technologies, Llc|Motion based capacitive sensor system|
    US20160343796A1|2015-05-22|2016-11-24|Mediatek Inc.|Capacitor structure and method for forming the same|
    US9948313B1|2016-12-19|2018-04-17|Silicon Laboratories Inc.|Magnetically differential loop filter capacitor elements and methods related to same|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US13/229,207|US8941974B2|2011-09-09|2011-09-09|Interdigitated capacitor having digits of varying width|
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